前言
除CPU、主板和显卡外，内存也是整个PC系统最重要的组成部分之一，其容量和速度将直接影响整机性能。经历了漫长的衍变后，各种内存平台如雨后春笋般地成长起来，从即将退出历史舞台的SDRAM到DDR SDRAM，再到孤掌难鸣的RDRAM，谁会是SDRAM的真正继承者？
答案当然是DDR SDRAM（以下简称DDR）。由于DDR的技术规格和标准都属于SDRAM范畴，所以开发时不用投入过多的资金、技术和人力。因此，虽然DDR内存的性能仍不及RDRAM，但却因其价廉物美而迅速抢占了主流市场。不过目前DDR规格的发展已接近极限，DDR400将是DDR规格的最后一档产品。展望未来主流市场，主角到底由谁来担任，DDR-Ⅱ将挑起重担。
当今主流——DDR与SDRAM的比较
SDRAM终于累了，从Intel发布Pentium处理器开始，SDRAM就开始挑起大梁，直到P4时代仍在低端平台占有一席之地，现在总算要完成其使命了。
SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器）的技术规格为：168pin、DIMM（Double In-Line Memory Module，双重内嵌式内存模块）模块，工作电压3.3V，最高规格PC150（Kingmax自行制订）。
DIMM是SDRAM集合形式的最终体现，每个DIMM至少包含1个P-Bank的芯片集合，最多2个。虽然理论上完全可在1个DIMM上支持多个P-Bank，比如SDRAM DIMM就有4个芯片选择信号（Chip Select，简称片选或CS），理论上可控制4个P-Bank的芯片集合，但由于设计难度、制造成本、芯片组配合等原因没有这么去做。
在一个容量标准下，SDRAM的引脚/信号标准需要顾及多种位宽，然后尽量给出一个通用标准，小位宽的芯片也许会空出一些引脚，但高位宽的芯片可能就全部用上了。不过容量不同时，设计标准也会有所差别，一般容量越小的芯片所需引脚也就越少。
DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM，双倍数据流SDRAM），是在原有的SDRAM基础上改进而来的，正因为如此，它才能能凭借着转产成本优势来打败昔日对手RDRAM，成为主流产品。
DDR内存颗粒也是128Mbit的芯片，标称规格也与SDRAM一样为32×4bit。首先就是内部的L-Bank规格。SDRAM中L-Bank存储单元的容量与芯片位宽相同，因此芯片位宽＝存储单元容量，但在DDR中并非如此，其存储单元容量是芯片位宽的一倍，所以真正的行、列地址数量也与同规格SDRAM不一样了。
SDRAM与DDR SDRAM的比较表
,SDRAM,DDR SDRAM,
时钟,单一时钟,差分时钟,
预取设计,1bit,2bit,
数据传输率,1/时钟周期,2/时钟周期,
CAS潜伏期,2、3,1.5、2、2.5、3,
写入潜伏期,0,可变,
突发长度,1、2、4、8、全页,2、4、8,
延迟锁定回路,可选,工作时必须,
自动刷新隔离周期,固定,弹性设计（最大值与SDRAM的固定值相同）,
数据选取脉冲,无,必须,
封装类型（≥64Mbit）,TSOP-Ⅱ（54pin 400mil）,TSOP-Ⅱ（66pin 400mil）、CSP 60pin,
工作电压,3.3V（LVTTL接口）,2.5V（SSTL_2接口）,
模组,168pin DIMM,184pin DIMM,
需要说明的是，上表中的TSOP-Ⅱ（Thin Small Outline Package，小外形薄型封装）只是这两种内存的标准封装方式，一些内存（芯片）厂商也有自己的封装规范，如uBGA、WBGA、TinyBGA、FBGA等。与传统TSOP-Ⅱ封装相比，这些新型封装方式在具体性能和稳定性上都有一定提升。
豪门贵族——RDRAM
RDRAM（Rambus DRAM）在众多用户心中永远是高速、昂贵的代名词。不可否认，RDRAM在技术上有优势，能带给我们前所未有的高性能体验。
当年，DDR SDRAM与RDRAM为争夺市场主流地位结下的恩怨，一直为我们津津乐道。由于RDRAM与SDRAM规格相差较远，在主观上无法让大多数用户接受，再加上成本高等缺点，导致它即使有高性能，也只能眼巴巴地看着DDR蚕食着整个市场。由于DDR技术突飞猛进，Intel终于决定抛弃一直支持的Rambus，导致后者在业界处于尴尬境地；其他内存厂商也不愿再跟着Rambus冒险，目前只有三星的半导体部门仍对RDRAM怀有信心。芯片组方面，Intel在i850E芯片组发布后，将不再推出RDRAM平台的后续芯片组，所以将来只有SiS（矽统）会提供支持RDRAM的芯片组了。RDRAM将离我们远去，独有的串行数据总线技术就此没落，市场就是这样无情。 |
